Dear all:<br><br>The new MBJ potential can improve the band gap calculation of semiconductor and insulator according. <br>Does it improve other electronic properties&#39; calculation, such as DOS, ED or ELNES? <br>Is it necessary to use MBJ potential in property calculation of magnetic metals? <br>
For AFII type NiO what is the difference between calculation steps by LDA+U and MBJ potential methods?  <br><br><br>Thanks!<br><br>