<div dir="ltr"><p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif">Dear
all,</font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif"> </font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif">I’m
running WIEN2k 14.2 on CentOS 6.6, and it looks like there are no problems when
I’m trying to calculate crystalline materials till now. I have some questions
about how to use the WIEN2k package for the amorphous systems. Since I have
used this program almost 5 years, I know that this program is designed for the
crystalline materials. Recently, I have tried to calculate the electronic
properties for amorphous silicate oxides with taking a P1 symmetry to a unit cell,
and of course the amorphous atomic configurations are obtained from the other
program based on the PAW-type pseudopotential method. </font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif"> </font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif">Followings
are the questions that I have. </font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif"> </font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif">The
first question is about the possibility of calculating the electronic properties
for amorphous materials using WIEN2k program. If I had obtained the amorphous
atomic configurations of silicate oxides using the other program, is it
possible to calculate the electronic structures of amorphous silicate oxides
using WIEN2k? I think that it might be possible if I make a sufficiently large
super cell which is containing enough number of atoms that can ignore the
boundary effect due to the periodic boundary condition. Is it right? </font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif"> </font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif">The
second question is about using SGROUP program for the amorphous materials. The
case.struct file generated from the case.cif file of amorphous materials, using
CIF2STRUCT script, has same atomic coordinates with the case.cif file. However,
the case.struct_sgroup file generated from SGROUP program has completely
different atomic coordinates, relatively. All the atoms in the case.struct_sgroup
file are re-positioned and some of atoms are moved to edges/vertexes of a unit
cell, and it might for taking a higher symmetry. I know that I should not use
this case.struct_sgroup file when I tried to calculate the electronic
structures of crystalline materials including core-hole on atoms in a unit
cell, i.e., should take P1 symmetry as supercell. But, for amorphous system, each
generated case.struct and case.struct_sgroup file has same P1 symmetry even
though they have different relative atomic coordinates. In this case, can I use
this case.struct_sgroup generated from SGROUP? If not, what is the reason? </font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif"> </font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif">The
third question is about calculating the electronic properties for amorphous materials
using WIEN2k. Recently, I have been trying to calculate a partial DOS for
amorphous silicate oxides. However, the unexpected ERROR is continuously
occurred on the LAPW1 in the first step of SCF calculation with a simple error
message in the lapw1.error file: “Error in LAPW1”. I had tried to figure out
the reason of this error from the WIEN2k FAQ and User Guide, and after
researching, I had found that this problem, i.e., stopping of calculation on
the LAPW1 in the first step of SCF calculation, could be induced from an
unacceptable potential function generated from LAPW0 unless there are problems
on other parameters, e.g., RKMAX, GMAX, E-values, etc. It means that the
case.struct_sgroup file could be the origin of this problem, since there were
no problems when I was trying to calculate the electronic structures for the crystalline
material which is the starting configuration used in the FPMD simulation. Therefore,
in this case, I had thought that this unexpected ERROR on the LAPW1 might be
caused from using the case.struct_sgroup file generated by SGROUP. Now, my
question is that is this procedure for solving this problem right? If not,
please give me other advises. </font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif"> </font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif">This
is the fourth question. After researching some references, I have tried to
calculate a partial DOS for amorphous silicate oxides without using
case.struct_sgroup file, and the problem was looked like solved. However, after
the first step of SCF calculation is finished, another ERROR is occurred on
LAPW2 with an error message related to the ghost band. To solve this problem, I
had tried to modify the case.inm file to change the mixing scheme from MSR1 to
MSEC1, but it did not help. Then I thought that I had to modify the energy
parameters in case.in1c file, especially “EF=###” and “GLOBAL AE-PARAMETER with
n OTHER CHOICES”. Note that, after the first step of SCF calculations, the “EF=###”
value in case.in1c file changes from its default value (EF=0.5 Ry) to EF=0.1 Ry.
However, now, I am trying to change “EF=###” value to ~0.6 Ry that is obtained
from the SCF calculation for the crystalline structure used in the FPMD
simulation as the starting configuration. Now, these are the questions. Should
I retain/use this “EF=0.1” value to restart the SCF calculation, or should I
have to change this to another value, e.g., “EF=0.5 Ry”. Or, should I change
all the energy parameters in case.in1c file “0.30” to another value? Do you
have any other suggestions for this problem? And furthermore, what is the
meaning of GLOBAL E-PARAMETER and ENERGY PARAMETER for each L-resolved state in
the case.in1c file? Does ENERGY PARAMETER for each L-resolved state indicate
the exceptions of choosing basis sets from globally defined GLOBAL E-PARAMETER
in its above line? </font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif"> </font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif">This
is the last question, about the case.in1c file used for LAPW1. I want to
understand the differences among these following cases. </font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif"> </font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif">Set-A)
Using -6.0 Ry as a core-valence separation energy</font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif">Set-B)
Using -11.0 Ry as a core-valence separation energy</font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif">Set-C)
Using -6.0 Ry as a core-valence separation energy & Modifying case.in1c
file same as in case.in1c file in Set-B</font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif"> </font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif">Set-B
has the largest number of valence electrons in case.in2c file, and the smallest
total occupation number in case.inc file. And the case.in2c and case.inc file
in both Set-A and Set-C have same number of valence electrons and occupation
number, but they have different case.in1c file. Do the additional lines in
case.in1c file of Set-C indicate more flexible representations of electronic
orbitals than in the Set-A? What is the meaning of additional local orbitals in
case.in1c file? </font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif"> </font></span></p>

<p class="MsoNormal" align="left"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif">Thanks
for reading such long questions. Any help will be gratefully appreciated. </font></span></p>

<p class="MsoNormal"><span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif"> </font></span></p>

<span lang="EN-US" style="line-height:115%"><font face="times new roman, serif">Best
regards, YOOSOO</font></span><br></div>