<p>Dear users, </p><p><br></p><p>As an electronic device researcher, I started to run Wien2k recently. </p><p>What I'm interested in is to see what really happens to the electronic structures (bandgap and extraction of carrier mobility from it, etc.) </p><p>in an alloy when the fraction of one of the comprising atoms is very slightly changed, by like 1 % or below step. </p><p>Maybe we can think about Si1-xGex for x = 0.015, 0.02, 0.025, etc, as an example. </p><p><br></p><p>If I make an approach through the supper-lattice method, i.e., if I first replace one of the A atoms by a B atom and send the unit cell to many directions, </p><p>it would give a very large portion itself and very large portion spacing as well. </p><p>Replacement of even only 1 or 2 atoms out of 8 atoms in the diamond structure, for example, would make 12.5% and 25% atomic fraction and fraction changes. </p><p>So, a simple idea that struck me was it would be really good if there might be a way to put extrinsic atoms one by one </p><p>into that already made supper cell having 100 or so basis atoms. </p><p><br></p><p>I'm wondering if this sounds good and if it is a feasible method that has been accepted in running Wien2k. </p><p>But, it's an idea yet even though it is a right way. So, it will be greatly appreciated if you share some know-hows to make this happen. </p><p><br></p><p>Thank you for your kind helps and communications in advance. </p><p><br></p><p>- Sincerely, Seongjae. </p><p><br></p><p>I'm a novice in this area but having a real fun with this. Thanks for the supporing group and all the other users. </p><p><br></p>
<img src='http://mail.gachon.ac.kr:80/historySent.ds?act=confirm&sender=ZmVsaXhjaG9AZ2FjaG9uLmFjLmty&receiver=PHdpZW5AemV1cy50aGVvY2hlbS50dXdpZW4uYWMuYXQ%2b&subject=Q29udHJvbCBvZiB2ZXJ5IHNtYWxsIGZyYWN0aW9uIG9mIGF0b21zIGluIGFsbG95&msgid=NjE4MjMzNzMzOTM0MTE2MDM2MA%3d%3d' width='0' height='0'>