<meta http-equiv="Content-Type" content="text/html; charset=utf-8"><div dir="ltr"><div><div><div><div><div><div>Dear Wien2k community,<br><br></div>   I have calculated the band structure of GaP in the wurtzite phase with PBE and LDA. After the cell optimization with the correspondent XC potential, I got a direct gap structure with underestimated gap value.<br></div>   The direct gap result is the expected one ( <a href="http://dx.doi.org/10.1021/nl304723c">dx.doi.org/10.1021/nl304723c</a> | Nano Lett. 2013, 13, 1559−1563 ) and, in order to improve the gap value, I calculated the band structure with mBJ (P-semiconductor).<br></div>    When I use mBJ + LDA I got a very good value for the gap, but it becomes indirect (CBM at M). When I use mBJ + PBE, the gap keeps direct, but its value is not that good.<br></div>   Well, I would appreciate if someone could give me any suggestion about how to get a good gap without changing its "character".<br></div>   All the best,<br></div>                Luis<br><br></div>