<div dir="ltr"><br clear="all"><div><div class="gmail_signature"><div dir="ltr"><div><div dir="ltr"><div dir="ltr"><div dir="ltr"><div dir="ltr"><div><span style="font-size:12.8px">Hello,<br><br></span></div><div><span style="font-size:12.8px">My system is a semiconductor with PBE (0.181 eV). when I apply mBJ then for mBJ(for 0, 1 and 2 options) it remains semiconductor but with mBJ (option 3) it becomes metal.<br><br></span></div><div><span style="font-size:12.8px">Q.  What may be the reason if the mBJ reduces the band gap?<br><br></span></div><div><span style="font-size:12.8px">Q. For mBJ3 it becomes metallic but the plasma frequency is 0, Could you please guide me how to deal this issue?  <br><br></span></div><div><span style="font-size:12.8px">the system is Cs2SnI6 (SG: 225),  and "I" has one free coordinate!!<br></span></div><div dir="ltr"><span style="font-size:12.8px"><br></span></div><div dir="ltr"><span style="font-size:12.8px"><br></span></div>where the above used 0,1, 2 and 3 number belongs from:<br><br>0:    Original mBJ values (Tran,Blaha PRL102,226401) (default)<br>1:    New parameterization (Koller etal, PRB85, 155109)<br>2:    New parameterization for semiconductors (gaps up to 7 eV)<br>3:    Unmodified BJ potential (Becke,Johnson J.Chem.Phys 124,221101<br><br><br><br></div><div>regards<br><br></div><div>Bhamu<br></div></div></div></div></div></div></div></div>
</div>